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一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底;在基底上形成多个沿第一方向延伸且沿第二方向依次排列的导电功能层、位于导电功能层之间基底上的底部介质层、以及位于导电功能层中的阻断结构,阻断结构分割沿第一方向位于阻断结构两侧的导电功能层;形成覆盖底部介质层、导电功能层和阻断结构的顶部介质层;刻蚀位于阻断结构和导电功能层交界位置处上方的顶部介质层、以及位于导电功能层侧壁的部分阻断结构,形成贯穿顶部介质层且露出导电功能层的部分顶部和部分侧壁的通孔;在通孔中填充通孔互连结构,通孔互连结构与导电功能层的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764332 A
(43)申请公布日
2021.12.07
(21)申请号 20201
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