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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一掩模层；在所述第一掩膜层上形成分立且具有至少两种宽度的第一牺牲层图案；在所述第一牺牲层图案的侧壁形成第一侧墙，并去除所述第一牺牲层图案，形成分立的且具有至少两种间距的第一侧墙；将所述第一侧墙的图案转移至所述第一掩膜层，形成图案化的第一掩膜层，并去除所述第一侧墙；以所述图案化的第一掩膜层为掩膜，刻蚀部分半导体衬底，形成具有至少两种间距的鳍部。本申请的形成方法可以获得非均匀分布的鳍部。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764274 A
(43)申请公布日
2021.12.07
(21)申请号 20201
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