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本发明提供一种抑制蚀刻不良的基板处理方法。一种基板处理方法,其为将具有被蚀刻膜和覆盖上述被蚀刻膜的掩模膜的基板进行蚀刻的基板处理方法,上述掩模膜具有将上述被蚀刻膜的一部分露出的开口,所述基板处理方法包括下述工序:A)通过上述开口向上述被蚀刻膜供给包含电子受体的第1气体的工序,B)向上述被蚀刻膜供给包含氧的第2气体的等离子体的工序,以及C)将上述被蚀刻膜进行等离子体蚀刻的工序。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764269 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110619973.3
(22)申请日 2021.06.03
(30)优先权数据
2020-0988
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