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一种半导体单元器件,包括:电源区、PMOS管、NMOS管、接地区、输出端、金属连接层,金属连接层包括第一金属互连线及第二金属互连线,其中,PMOS管的源极与电源区耦接,栅极与第一金属互连线耦接;NMOS管的源极与接地区耦接,栅极与第一金属互连线耦接;输出端与第二金属互连线耦接;第一金属互连线上设置有可配置的第一通孔结构,以将第一金属互连线连接于选定的第一对象;第二金属互连线上设置有可配置的第二通孔结构,以将第二金属互连线连接于选定的第二对象,以使得第二对象与输出端导通。上述方案,在流片后需要更改
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764410 A
(43)申请公布日
2021.12.07
(21)申请号 20201
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