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本申请公开了一种晶圆减薄方法,其包括以下步骤:提供晶圆,所述晶圆包括芯片层和研磨层,在所述芯片层背离所述研磨层的表面上划设减薄线;沿所述减薄线减薄,减薄深度为所述芯片层厚度;在所述芯片层背离所述研磨层的表面涂设第一连接层;通过所述第一连接层将所述芯片层连接至晶圆研磨台;研磨所述研磨层,研磨深度为所述研磨层厚度;在所述芯片层背离所述第一连接层的表面涂设第二连接层;去除所述第一、二连接层,获取芯片。本申请的减薄方法,用于较薄的芯片层,在对研磨层研磨时,避免了芯片层的隐裂,有利于提高晶圆减薄精度,提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764267 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110855120.X
(22)申请日 2021.08.02
(71)申请人 苏州
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