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本发明提供一种半导体器件及其形成方法,其中,所述半导体器件包括:具有第一导电类型的第一区域;位于所述第一区域上的具有第二导电类型的第二区域;位于第二区域内具有第二导电类型的第一漂移区;位于所述第一漂移区的一侧具有隔离结构;以及,位于所述隔离结构下方的具有第一导电类型的第三区域;分别位于第一漂移区中的漏区和位于第二区域中的源区。本方案通过在隔离结构的下方掺杂形成第三区域,由于共享电荷效应,能够在横向电场达到临界击穿电场前完全耗尽第一漂移区,从而大幅度提高半导体器件源漏之间的击穿电压,同时,由于第三
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764502 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202010489558.6
(22)申请日 2020.06.02
(71)申请人 芯恩(青岛)集成电路有限公司
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