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本申请提供一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底；去除所述第一栅极结构的第一阻挡层和部分栅极层，使所述第一区域的栅极层顶面低于所述第二区域的栅极层顶面；在所述第二栅极结构两侧的半导体衬底中形成应力外延层；在所述第一区域的栅极层表面和所述应力外延层表面形成金属硅化物层。本申请提供的半导体器件及其形成方法，通过在研磨工艺之前将第一区域的栅极层高度降低，使第一区域栅极层的高度低于第二区域栅极层的高度，保证在后续的研磨工艺中，不会研磨到第一区域的金属硅化物层，从而避免研
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764506 A
(43)申请公布日
2021.12.07
(21)申请号 20201
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