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本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。方法包括:形成延伸到半导体衬底中的隔离区;以及在隔离区上方形成第一多个突出鳍和第二突出鳍。第一多个突出鳍包括远离第二突出鳍的外部鳍和最靠近第二突出鳍的内部鳍。该方法还包括蚀刻第一多个突出鳍以形成第一凹进,从第一凹进生长第一外延区,其中,将第一外延区合并以形成合并的外延区,蚀刻第二突出鳍以形成第二凹进,从第二凹进生长第二外延区。合并的外延区的顶表面在面向第二外延区的一侧比在背离第二外延区的一侧低。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764352 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110743405.4
(22)申请日 2021.07.01
(30)优先权数据
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