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一种半导体装置的制造方法,包括提供具有半导体通道层和设置于半导体通道层之间的多层外延层的一鳍片。多层外延层包括设置于第二、第三外延层之间的第一外延层。第一外延层具有第一蚀刻速率,第二和第三外延层具有大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率。方法还包括横向蚀刻第一、第二和第三外延层,以在多层外延层的相对侧表面上提供外凸的侧壁轮廓。方法还包括在相邻半导体通道层之间形成内部间隔物。内部间隔物沿着第一内部间隔物侧壁表面与多层外延层的外凸的侧壁轮廓相接。方法还包括用一栅极结构的一部分替代每一个多层外延层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764344 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110735233.6
(22)申请日 2021.06.30
(30)优先权数据
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