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2023-07-03 发布于四川
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公开了选择性激光退火方法。提供了具有基底载体部分和III族氮化物类型半导体部分的半导体本体。III族氮化物类型半导体部分包括异质结和二维电荷载流子气。在III族氮化物类型半导体部分中形成一个或多个欧姆接触，欧姆接触与二维电荷载流子气形成欧姆连接。栅极结构被配置为控制二维电荷载流子气的导电状态。形成一个或多个欧姆接触包括：在III族氮化物类型半导体部分的上表面上形成结构化的激光反射掩模；将掺杂剂原子注入到III族氮化物类型半导体部分的上表面中；以及执行激活注入的掺杂剂原子的激光热退火。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764265 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202110623979.8 H01L 29/778 (2006.01)

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