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一种用于形成鳍式底部二极管的方法和结构包括提供具有多个从其上延伸的鳍的衬底。多个鳍中的每个包括衬底部分和衬底部分上方的外延层部分。第一掺杂层形成在多个鳍中的每个的衬底部分的第一区域的侧壁上。在形成第一掺杂层之后,执行第一退火工艺以在衬底部分的第一区域内形成第一二极管区域。第二掺杂层形成在多个鳍中的每个的衬底部分的第二区域的侧壁上。在形成第二掺杂层之后,执行第二退火工艺以在多个鳍中的每个的衬底部分的第二区域内形成第二二极管区域。本发明的实施例还涉及鳍式二极管结构及其方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745160 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202111038290.5 H01L 21/324 (2006.01)
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