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本公开的实施例涉及电流泄露减少的功率MOSFET以及制造功率MOSFET的方法。一种集成电路包括掺杂有掺杂剂的多晶硅区域。多晶硅区域的一部分转化为包括未氧化的掺杂剂离子的多晶氧化物区域。层的堆叠在多晶氧化物区域上。层的堆叠包括第一臭氧辅助次常压热化学气相沉积(O3SACVD)TEOS层和第二O3SACVDTEOS层;其中,第一和第二O3SACVDTEOS层通过电介质区域彼此分离。在诱发钝化原子从第一和第二O3SACVDTEOS层迁移的脱气的温度处执行热退火,从而钝化由于多晶氧化物区域中存在
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745313 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202110580631.5
(22)申请日 2021.05.26
(30)
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