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2023-07-02 发布于四川
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一种量子点器件的制作方法.pdf

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本申请实施例公开了一种量子点器件的制作方法，利用第一电场驱动量子点材料运动并克服其间相互斥力而靠近，并发生碰撞，从而使其表面配体脱落。在量子点材料的表面配体脱落后，第二电场进一步驱动量子点颗粒运动并聚集到具有相反电性的电极上。由于受到垂直于电极表面的电场力作用，量子点颗粒在成膜过程中紧密堆积，进一步减少了量子点颗粒之间的空隙，从而得到了极高密度的量子点薄膜。量子点薄膜中配体缺失使得其无机成分更多且量子点间距变小，量子点薄膜的密度变大。因此量子点之间的载流子迁移速率会得到提高。将本申请实施例提供的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113745440 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202110941251.X H01L 51/50 (2006.01) (22)申请日 2021.08

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