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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成多个分立的叠层结构，叠层结构包括第一掺杂层、位于第一掺杂层上的半导体柱以及位于半导体柱上的第二掺杂层；形成保形覆盖半导体柱以及第二掺杂层的栅极材料层；在半导体柱之间形成层间介质层，层间介质层的顶面低于第二掺杂层的底面；对层间介质层露出的栅极材料层进行一次或多次原子层刻蚀处理，形成栅极结构，原子层刻蚀处理包括：在露出层间介质层的栅极材料层的表面形成有机物层，去除有机物层。有机物层使得栅极材料层最表面的原子与内层原子的键能进一步的减小，在去除有机物层的过
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745214 A
(43)申请公布日
2021.12.03
(21)申请号 20201
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