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本发明涉及集成芯片技术领域,尤其涉及一种三维异质集成的可编程阵列芯片结构和电子器件。该可编程阵列芯片结构,包括:至少两个芯片;其中,至少两个芯片中任一芯片为FPGA芯片或含eFPGA模块的芯片;至少两个芯片层叠连接的层叠芯片结构中相邻设置的两个芯片之间均通过对应的三维异质集成键合结构互连;三维异质集成键合结构,包括:第一三维异质集成键合区域;第二三维异质集成键合区域,互连第一三维异质集成键合区域。本发明利用三维异质集成技术,实现了可编程阵列芯片结构中芯片之间以及封装内部短距离的层叠互连,减少了孔
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745197 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202111033209.4
(22)申请日 2021.09.03
(71)申请人 西安紫光国芯半导体有限公司
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