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方法包括：提供具有第一半导体材料的衬底；创建覆盖衬底的nFET区域的掩模；蚀刻衬底的pFET区域以形成沟槽；在沟槽中外延生长第二半导体材料，其中，第二半导体材料与第一半导体材料不同；以及图案化nFET区域和pFET区域，以在nFET区域中产生第一鳍，并且在pFET区域中产生第二鳍，其中，第一鳍包括第一半导体材料，并且第二鳍包括位于底部上方的顶部，其中，顶部包括第二半导体材料，并且底部包括第一半导体材料。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745164 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202110651854.6
(22)申请日 2021.06.11
(30)优先权数据
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