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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

半导体器件及其形成方法.pdf

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    在实施例中，器件包括：栅极电介质，位于衬底上方；栅电极，位于栅极电介质上方，栅电极包括：功函调整层，位于栅极电介质上方；胶层，位于功函调整层上方；填充层，位于胶层上方；以及空隙，由填充层、胶层和功函调整层中的至少一个的内表面限定，内表面处的栅电极的材料包括功函调整元素。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745221 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110931643.8 H01L 21/8238 (2006.01) (22)申请日

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