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本发明提供半导体装置及电力转换装置，在具有利用护圈包围半导体有源区域的终端构造的半导体装置中，可抑制连接于护圈的金属层的腐蚀，可靠性高。半导体装置的特征在于，具备形成于半导体基板的主面的有源区域和以包围有源区域的方式形成于主面的护圈区域，护圈区域具有：护圈，其形成于半导体基板；层间绝缘膜，其以覆盖护圈的方式形成于半导体基板上；场板，其配置于层间绝缘膜上，经由贯通层间绝缘膜的触头与护圈电连接；以及保护膜，其覆盖场板，场板由与护圈接触的第一金属和接触地配置于第一金属上且标准电位比第一金属低的第二金属
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725279 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202110541791.9
(22)申请日 2021.05.18
(30)优先权数据
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