- 1、本文档共14页,其中可免费阅读13页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种沟槽顶角的圆化方法及半导体结构,该方法通过回刻蚀紧挨衬底的第一掩膜层使得在形成沟槽过程中沟槽顶部拐角始终处于暴露状态,这样在沟槽刻蚀过程中沟槽的顶部尖角也会同步被圆化,进而即可形成圆滑的沟槽顶角,该方法消除了沟槽顶部的尖角形貌,且在刻蚀沟槽的同时即可形成圆滑的沟槽顶角,无需附加任何单独的圆化操作,整个方法工艺简单,大大降低了生产成本;另外,本发明采用湿法刻蚀对第一掩模层进行回刻蚀,使得整个刻蚀过程更易控制,对回刻蚀的量能更加精确把控,从而使得后续对沟槽顶角的圆化更加简单易控;包括本
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113707553 A
(43)申请公布日
2021.11.26
(21)申请号 20201
文档评论(0)