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一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成包括具有垂直交替绝缘层级及字线层级的堆叠的构造。在所述堆叠上方的上部材料的最上部分中形成开口阵列，且所述开口包括沟道开口及虚设开口。在将所述沟道开口及所述虚设开口蚀刻到所述上部材料的下部部分中时，使用所述上部材料的至少所述最上部分作为掩模。所述沟道开口被蚀刻到所述绝缘及字线层级中。与所述虚设开口相比，所述沟道开口被蚀刻到所述构造中更深，且在所述蚀刻之后在所述沟道开口中形成沟道材料。公开独立于方法的结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113711354 A
(43)申请公布日 2021.11.26
(21)申请号 202080026181.9 V ·沙马娜
(22)申请日 2020.02.2
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