一种测量三维拓扑绝缘体中电流诱导自旋极化的方法.pdfVIP

一种测量三维拓扑绝缘体中电流诱导自旋极化的方法.pdf

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本发明涉及一种测量三维拓扑绝缘体中电流诱导自旋极化的方法。包括:制备Bi2Te3薄膜样品并在其上沉积矩形的钛金电极;将样品安装在真空杜瓦瓶中;激光器发出的光依次通过、衰减片、斩波器、起偏器、光弹性调制器以及透镜,以一定入射角照射在真空杜瓦瓶中样品两电极连线的中点;使用电流前置放大器给样品施加向电压和反向电压,通过锁相放大器分别提取出普通光电导电流和圆偏振光相关的光电流;通过公式计算得到某一个电压或电场下的圆偏振光电导差分电流,该圆偏振光电导差分电流的大小反映了电流诱导自旋极化的大小。本发明方法较

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113534021 B (45)授权公告日 2022.05.10 (21)申请号 202110777060.4 CN 101359715 A,2009.02.04 (22)申请日 20

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