原创力文档- 1、本文档共11页，其中可免费阅读10页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种FinFET器件的鳍片制作方法，包括以下步骤：步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110)，以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200)；步骤S2、在蚀刻槽(110)中施布ODL(300)，以使ODL(300)达到鳍片(200)的一定高度；步骤S3、采用氟基团对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀，以将鳍片(200)蚀刻成塔状。本发明的FinFET器件的鳍片制作方法设计新颖，实用性强。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451121 A
(43)申请公布日
2021.09.28
(21)申请号 20201
文档评论（0）