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一种半导体器件的形成方法，所述方法在所述第一掩模层中的第一开口内形成第一切割层的同时，在第二开口内形成第二切割层，现有的采用两道工序分别形成第一切割层和第二分割层相比，可以简化工艺操作步骤，提高工作效率。同时，在形成所述第二切割层时，可以根据实际的需要调整第二切割层在第一方向上的尺寸，进而可以调整分割后的第二开口头到头的距离，满足多样化的工艺需求。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451131 A
(43)申请公布日
2021.09.28
(21)申请号 20201
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