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本发明提供的背照式图像传感器的制备方法中，由于先对衬底进行了P型离子注入以形成P型掺杂层，之后刻蚀P型掺杂层形成开槽，并使开槽的宽度大于被开槽分割后形成的P型结构的宽度。如此一来，则降低了后续生长在开槽内的外延结构的深宽比，进而在对外延结构进行N型离子注入时，能够提升注入效果，以提升最终制备而成的背照式图像传感器的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451343 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110739263.4
(22)申请日 2021.06.30
(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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