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2023-06-23 发布于四川
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一种功率器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的终端区和有源区，有源区位于终端区之间；设置于有源区上的金属电极层，金属电极层与有源区之间为肖特基接触；设置于金属电极层上的第一材料层；以及，全部或部分覆盖第一材料层并向终端区延伸的钝化层，第一材料层将钝化层与金属电极层完全或部分的隔开；第一材料层的材料的膨胀系数为a，金属电极层的材料的膨胀系数为b，钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，abc。该功率器件能够提高器

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451417 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110725060.X (22)申请日 2021.06.29 (71)申请人厦门

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