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一种台面射频PIN二极管及其制备方法.pdf

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    本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种台面射频PIN二极管及其制备方法。该种台面射频PIN二极管，包括：N型重掺杂衬底，N型重掺杂衬底包括底层和顶层，顶层上方依次设置有高阻本征层和P型重掺杂层，在P型重掺杂层上表面设置有PtSi掺杂部；其中，顶层、P型重掺杂层、高阻本征层共同构成一个三层的柱形体；钝化层，设置于底层上方，钝化层包覆柱形体，钝化层在柱形体上方开设有通孔；在P型重掺杂层上方设有正面多层金属，正面多层金属穿过通孔与P型重掺杂层接触。该种台面射频PIN二极管在P型重掺杂层上表面设置有

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113437157 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202110689168.8 (56)对比文件 (22)申请日 2021.06.22

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