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闪存单元的写入方法.pdf

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    本公开提供了一种闪存单元的写入方法。该闪存单元包括依次串联连接的第一存储晶体管、选通晶体管和第二存储晶体管。根据本公开的写入方法包括将各写入电压施加到闪存单元的各电极以及各晶体管的栅电极，其中施加到与被写入的存储晶体管连接的电极的写入电压高于衬底与存储晶体管的栅介质叠层之间的界面处的电子势垒高度。在闪存单元的写入操作期间，各写入电压使得第一存储晶体管、第二存储晶体管和选通晶体管均导通，并通过控制连接到第二写入电压的恒流负载的电流来控制在所述闪存单元中流动的写入电流。本公开的闪存单元的写入方法具有

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113437085 B (45)授权公告日 2021.12.10 (21)申请号 202110988483.0 (56)对比文件

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