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本发明公开了一种异质结电池生产方法，涉及异质结太阳电池技术领域，包括如下步骤：步骤1、对硅片进行去损伤层、抛光、制绒和清洗；步骤2、硅片双面制作非晶硅层；步骤3、在硅片背面层边缘设置宽度为0.05‑0.5mm的掩膜，沉积透明导电膜层(TCO层)时，硅片背面被掩膜覆盖的区域不沉积TCO膜；步骤4、硅片放入碱液中进行刻边处理；步骤5，在硅片的正反面上制作金属电极，即完成异质结电池的制作。本发明背面掩膜区宽度减小，背面TCO膜面积增加，增大了电池背面收集电子的能力，从而电池的电流得到提升。采用化学刻蚀
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451439 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110645698.2
(22)申请日 2021.06.09
(71)申请人 中威
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