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本发明涉及一种字线结构和半导体存储器，字线结构包括第一字线阵列和第二字线阵列，第一字线阵列包括沿X方向延伸的多条第一字线，多条所述第一字线具有相同的长度，且沿Y方向对齐排列；第二字线阵列包括沿所述X方向延伸的多条第二字线，多条所述第二字线具有相同的长度，且沿所述Y方向对齐排列；其中，所述第一字线阵列与所述第二字线阵列在所述Y方向上不对齐，所述Y方向与所述X方向垂直。通过使所述第一字线阵列和所述第二字线阵列在所述Y方向上不对齐，为字线接触结构在水平面内提供了更大的设置空间，从而可以扩大字线接触结构
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113451269 B
(45)授权公告日 2022.07.22
(21)申请号 202010216024.6 H01L 21/8242 (2006.01)
(22)申请日 2020.
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