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利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法.pdfVIP

利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法.pdf

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    本发明提供一种利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法，包括以下步骤：配制RE123和RE211纯相粉末，按照RE123+30mol％RE211+1wt％CeO2的组分配料，充分碾磨混合均匀，得到前驱粉料；根据模具直径不同，将所述粉料称取合适质量，放入模具，压制成圆柱形状的籽晶桥1个、缓冲层2～3个和前驱体1个；将籽晶、籽晶桥、缓冲层、前驱体从上至下依次放置；所述籽晶、所述籽晶桥、所述缓冲层构成单籽晶桥式结构；其中，所述籽晶放置在所述籽晶桥的上表面中心，所述籽晶桥搭设在所述缓冲层上方，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113430646 B (45)授权公告日 2022.05.13 (21)申请号 202110711199.9 (56)对比文件

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