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2023-06-23 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供器件晶圆和承载片，所述器件晶圆包括SOI衬底，所述SOI衬底包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；将所述器件晶圆的正面键合于所述承载片上；对所述器件晶圆的背面执行减薄工艺，以至少去除所述下层衬底，所述器件晶圆的正面和背面为相对的面；提供高阻衬底，将所述器件晶圆的背面键合于所述高阻衬底上，所述高阻衬底的电阻率高于所述下层衬底。本发明能够在降低信号损耗和提高信号的线性度的同时，还能避免成本明显提高。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113437016 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110710741.9 (22)申请日 2021.06.25 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司

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