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本发明提供了一种AlN薄膜及其制备方法和应用,属于半导体薄膜材料技术领域。本发明在衬底上形成掩膜后刻蚀,在衬底表面形成规则排列的凹坑;然后在凹坑中溅射沉积AlN,并通过退火的方式,在衬底表面得到了规则排列、应力小且致密的AlN籽晶。由于AlN籽晶只在凹坑中而衬底表面其他位置没有,在后续外延生长过程中,AlN籽晶为同质外延,而衬底上为异质外延,可以改善衬底和AlN层的晶格失配和热失配,又能降低位错密度,提高晶体质量。同时,由于同质和异质生长速率的差异,使后续生长的AlN层趋向于二维生长,得到表面光
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113445004 B
(45)授权公告日 2021.12.14
(21)申请号 202110999812.1 C30B 23/04 (2006.01)
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