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一种半导体器件，包括：IV型半导体基底衬底；彼此电隔离的第一和第二器件区域；在第一器件区域上形成的III‑V型半导体材料的第一区；在第二器件区域上形成的III‑V型半导体材料的第二区，III‑V型半导体材料的第二区与III‑V型半导体材料的第一区横向电绝缘；在第一区中整体形成的第一高电子迁移率晶体管；以及在第二区中整体形成的第二高电子迁移率晶体管。第一和第二高电子迁移率晶体管串联连接。第一高电子迁移率晶体管的源极端子电连接到第一器件区域。第一器件区域通过第一双向电压阻断器件与基底衬底的下邻固有掺
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451300 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110312412.9 H01L 29/40 (2006.01)
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