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本发明公开一种半导体发光元件，其包括一基板、一第一半导体接触层位于所述的基板上、一发光叠层包含一活性层位于所述的第一半导体接触层的一上表面上、一第二半导体接触层位于所述的发光叠层上、一凹陷区露出所述的第一半导体接触层的一部分的所述的上表面、以及一透明电极层位于所述的第二半导体接触层上，其中，所述的基板的面积与所述的透明电极层的面积的比值为2至100，且于操作时，所述的半导体发光元件接收一操作电流，且所述的操作电流与所述的透明电极层的面积的比值为10mA/mm2至1000mA/mm2。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410358 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110285067.4
(22)申请日 2021.03.17
(30)优先权数据
109108789
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