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本申请公开了一种发光二极管芯片制作方法,依次包括:处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层,降温冷却,其中生长多量子阱层依次包括进行生长MQWs1、生长MQWs2、生长MQWs3的步骤,所述生长MQWs1包括依次生长InGaN阱层和低温高掺Mg的GaN层的步骤,所述生长MQWs2包括生长P型InN层,所述生长MQWs3包括制作Al2O3薄膜以及生长GaN垒层的步骤。本发明通过采用新的LED
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113421951 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202110698193.2
(22)申请日 2021.06.23
(71)申请人 湘能华磊光电股份有限公司
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