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本发明提供一种FinFET结构的抗穿通掺杂方法，硅基底上形成多个包括Fin结构、缓冲层和硬掩膜层的叠层；叠层分为第一、第二结构；在叠层侧壁形成第一侧墙；沉积有机分布层；刻蚀将Fin结构侧壁部分暴露；使其将Fin结构的部分包裹；形成第二侧墙使与有机分布层直接接触的Fin结构侧壁部分暴露；在第一、第二结构上及硅基底覆盖BSG层；去除第二结构上的BSG层；在第二结构上覆盖PSG层；退火使第一结构中Fin结构侧壁的BSG层中的硅和第二结构中Fin结构侧壁的PSG层中的磷分别向Fin结构内部侧向扩散；使硅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394106 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110597482.3
(22)申请日 2021.05.31
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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