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本发明涉及一种三柵结构半浮柵晶体管的制作方法，涉及半导体集成电路制造技术，该方法包括衬底以及在衬底上有源区中形成N型参杂深阱以及U形槽；在U形槽中形成第一柵极结构；第一栅极与有源区形成接触口；在包含第一栅极的衬底上先后沉积柵氧化层介质和多晶硅以及硬掩模材质，通过光刻工艺将三柵结构中的第二栅极和第三栅极之间的隔离区曝光并显影开；通过干法刻蚀将光刻定义的图形三柵结构中的第二栅极和第三栅极定义出来；在刻蚀开的第二和第三栅极见沉积介质层，将三柵结构中的第二栅极和第三栅极隔离开来，如此成功将三柵结构中的第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394103 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110568403.6
(22)申请日 2021.05.25
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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