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本发明公开了一种后栅工艺中伪栅平坦化方法，包括：步骤一、在半导体衬底表面形成伪栅材料层，进行光刻定义同时定义出伪栅的形成区域以及栅极内沟槽的形成区域；步骤二、对伪栅材料层进行刻蚀同时形成伪栅和栅极内沟槽；步骤三、在栅极内沟槽的侧面形成研磨阻障层；步骤四、形成第零层层间膜；步骤五、进行化学机械研磨使第零层层间膜和伪栅表面相平以及将伪栅表面暴露，通过研磨阻障层并结合栅极内沟槽的布局实现对各伪栅的研磨负载的调节，化学机械研磨完成后各伪栅的高度均匀。本发明能使不同尺寸的伪栅的研磨负载均匀，伪栅内部的高度
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394087 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110568363.5
(22)申请日 2021.05.25
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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