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2023-06-22 发布于四川
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半导体装置的制造方法.pdf

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提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的显示装置。提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：形成包含金属氧化物的半导体层的工序；在半导体层上形成在半导体层上彼此分开的第一导电层及第二导电层的工序；对露出半导体层的区域使用包含氧化性气体及还原性气体的混合气体进行等离子体处理的工序；在半导体层上、第一导电层上及第二导电层上形成第一绝缘层的工序；以及在第一绝缘层上形成第二绝缘层的工序。利用使用混合气体的等离子体增强化学气相沉积法形成第一绝缘层，该混合气体包含

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113396483 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202080013106.9 中泽安孝　 (22)申请日 2020.02.06

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