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半导体装置包括：半导体层，其具有主面；沟槽栅极构造，其包括沟槽、绝缘层以及栅极电极，该沟槽在剖视时具有一方侧的第一侧壁、另一方侧的第二侧壁以及底壁且形成于上述主面，该绝缘层形成于上述沟槽的内壁，该栅极电极隔着上述绝缘层埋设于上述沟槽且具有相对于上述主面位于上述底壁侧的上端部；第一导电型的多个漂移区域，其在上述主面的表层部以隔着上述沟槽而相互对置的方式分别形成于上述沟槽的上述第一侧壁侧的区域以及上述第二侧壁侧的区域，相对于上述底壁位于上述主面侧的区域；以及第一导电型的多个源极漏极区域，其分别形成于
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113396482 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202080012924.7 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限
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