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提供一种存储器器件和制造方法以及存储器结构。所述存储器器件包括衬底、晶体管和存储单元。所述衬底具有半导体器件和设置在所述半导体器件上的介电结构。所述晶体管设置在所述介电结构之上并与所述半导体器件电耦合。所述半导体器件包括栅极、沟道层、多个源极和漏极区、和栅极介电层与第一铁电层的堆叠。所述栅极和所述多个源极和漏极区设置在所述介电结构之上。所述沟道层位于所述多个源极和漏极区之间。所述栅极介电层与第一铁电层的堆叠设置在所述栅极与所述沟道层之间。所述存储单元设置在所述晶体管之上并电连接到所述多个源极和漏
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113421895 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202110705545.2 H01L 27/24 (2006.01)
(22)申请日 2
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