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本发明提供一种FinFET结构中的Fin形貌设计方法，在硅基底上依次形成锗外延层、硅外延层、缓冲层以及硬掩膜层；刻蚀形成多个相互间隔的Fin结构；并在Fin结构侧壁形成第一侧墙；沉积覆盖Fin结构的有机分布层；刻蚀有机分布层及第一侧墙至将锗外延层的侧壁全部暴露；在硅外延层、缓冲层以及硬掩膜层的侧壁形成第二侧墙；去除有机分布层；沉积一层氧化层并退火处理，暴露出侧壁的锗外延层在退火中被完全氧化；刻蚀去除硬掩膜层、缓冲层及氧化层形成多个Fin。本发明在硅基底的上方以及Fin的下方形成锗外延层，在侧墙的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394104 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110597296.X
(22)申请日 2021.05.31
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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