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本发明涉及永磁材料技术领域，特别涉及一种钐钴稀土磁体及其制备方法，其中，所述钐钴稀土磁体制备方法中的熔炼过程包括第一熔炼阶段、第二熔炼阶段和第三熔炼阶段，所述第一熔炼阶段的真空度为10kPa～15kPa，熔炼温度从常温升温至T1，所述T1为1050℃～1100℃；所述第二熔炼阶段的真空度为40kPa～50kPa，熔炼温度从T2升温至T3，所述T2为1050℃～1100℃,所述T3为1250℃～1350℃；所述第三熔炼阶段的真空度为70kPa～90kPa，熔炼温度从T4升温至T5，所述T4为125
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113388757 B
(45)授权公告日 2022.04.29
(21)申请号 202110472240.1 (51)Int.Cl.
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