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本申请提供了一种移位寄存器单元电路,包括置位晶体管,控制极配置为接收前一级输出信号,第二极耦合到低电平,置位晶体管为N型;复位晶体管,控制极配置为接收后一极输出信号,第二极耦合到低电平,复位晶体管为N型;第一CMOS反相器,输出端耦合到置位晶体管的第一极,输入端耦合到输出端和复位晶体管的第一极,第一控制极配置为接收高电平,第二控制极耦合到低电平;以及驱动晶体管,第一极耦合到输出端和所述复位晶体管的第一极,第二极配置为接收第一时钟信号,控制极耦合到第一CMOS反相器的输出端和置位晶体管第一极;第一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113409717 B
(45)授权公告日 2022.06.10
(21)申请号 202110520882.4 (56)对比文件
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