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本发明公开的实施方式提供了适合用于硅裸片靠近封装边缘的ASIC封装件中的比硅高的加强环。加强环被配置为允许接近紧邻ASIC封装件边缘的硅裸片的背面的直接散热。用于ASIC封装件的加强环具有不均匀的横截面，并且可以包括阶梯状的横截面。加强环可以包括高度大于外围硅裸片的高度的第一区段和高度小于或等于硅裸片的高度的第二区段。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394171 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110246356.3
(22)申请日 2021.03.05
(30)优先权数据
16/815,54
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