紫外半导体发光元件.pdfVIP

紫外半导体发光元件.pdf

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本发明提供了一种紫外半导体发光元件，从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、老化漏电控制层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述老化漏电控制层为第一结构层与第二结构层组成的超晶格结构。本发明通过在n型半导体层和量子阱层之间增加具有超晶格结构的老化漏电控制层，能够改善紫外半导体发光元件的老化漏电性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113410345 B (45)授权公告日 2022.08.26 (21)申请号 202110661380.3 (51)Int.Cl.

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