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2023-06-21 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；从半导体衬底延伸的第一鳍；从半导体衬底延伸的第二鳍；外延源极/漏极区，包括：第一鳍和第二鳍中的主层，所述主层包括第一半导体材料，所述主层具有上刻面表面和下刻面表面，上刻面表面和下刻面表面分别从第一鳍和第二鳍的相应表面升高；半导体接触件蚀刻停止层(CESL)，与主层的上刻面表面和下刻面表面接触，半导体CESL包括第二半导体材料，第二半导体材料不同于第一半导体材料。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363213 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110318583.2 (22)申请日 2021.03.25 (30)优先权数据 16/881,97

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