一种PDMS微流控芯片上半球腔制备工艺.pdfVIP

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2023-06-21 发布于四川
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一种PDMS微流控芯片上半球腔制备工艺.pdf

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一种PDMS微流控芯片上半球腔制备工艺，包括如下步骤：S1、将含PDMS与固化剂的第一混合液倒在硅片上并予以保持；S2、将球形阳模放在硅片上的设定位置；S3、将第一混合液固化成型为PDMS模具，PDMS模具具有通过球形阳模形成的半球腔；S4、将PDMS模具从硅片上取下，并将球形阳模放入PDMS模具的半球腔，其中，PDMS模具上的除半球腔之外的区域覆盖隔离层；S5、将含PDMS与固化剂的第二混合液倒在PDMS模具上并予以保持；S6、将第二混合液固化成型为具有上半球腔的PDMS微流控芯片，随后将PD

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113351269 B (45)授权公告日 2022.03.11 (21)申请号 202110710981.9 审查员柳思 (22)申请日 2021.06.25

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