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一种自催化生长制备高导热石墨烯膜的方法，属于石墨烯材料技术领域，可解决现有制备高导热石墨烯膜的方法制备得到的石墨烯膜导热系数不高等问题，本发明将氧化石墨烯分散至单层氧化石墨烯，通过涂布工艺，得到氧化石墨烯薄膜，在炭化炉中，脱掉部分氧原子，得到并残留缺陷结构的薄膜，随后通过在碳源气氛中中温处理，缺陷石墨烯自催化修复缺陷并生长一定时间后进一步石墨化处理，在低于传统石墨化温度2800℃的条件下，可达到较高的导热系数，最高可达2021W/（m·K）。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113353923 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110709019.3
(22)申请日 2021.06.25
(71)申请人 太原理工大学
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