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一种用于制造半导体器件的方法包括：形成下部阵列，所述下部阵列包括：在半导体衬底之上的多个下电极、支撑所述下电极的支撑件、以及形成在所述下电极和所述支撑件之上的电介质层；形成覆盖所述下部阵列的侧部和所述下部阵列的上部的间隙填充层；在所述间隙填充层之上形成覆盖所述下部阵列的上部的覆盖部；执行所述间隙填充层的回缩工艺，以形成与所述覆盖部对齐的间隙填充电极；以及在所述间隙填充电极之上形成低电阻率电极。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113345835 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202011000594.8 H01L 23/64 (2006.01)
(22)申请日 2
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